芯片制造光刻胶化学反应原理及其制备方法

原理:光刻胶吸收一定波长的光能量后应发生光化学反应,引起高分子的交联或降解,从而会导致高分子溶解度的变化。在溶剂中变得不溶或可溶解,根据这一特性将光刻胶复于基础材料上,制成预涂感光板。在光的作用下进行表面图案化,即光刻。光刻胶如果发生光交联反应,溶剂显影时感光部分高分子得到了保留,未曝光的

原理:光刻胶吸收一定波长的光能量后应发生光化学反应,引起高分子的交联或降解,从而会导致高分子溶解度的变化。在溶剂中变得不溶或可溶解,根据这一特性将光刻胶复于基础材料上,制成预涂感光板。 在光的作用下进行表面图案化,即光刻。光刻胶如果发生光交联反应,溶剂显影时感光部分高分子得到了保留,未曝光的高分子则被溶解。溶剂显影后得到与曝光掩模相反的负图像,即负片。反之,光刻胶若发生光分解反应溶剂显影时,未曝光的部分得到了保留,而曝光部分的高分子则分解成可溶解性物质而被溶解,光照部分显影后形成与掩模一致的图像,即正片。

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